[API] response: [200 OK] "{\"code\":200,\"msg\":\"请求成功\",\"data\":[{\"id\":12,\"platform\":\"DK\",\"name\":\"PMDM\",\"slug_name\":\"PMDM\",\"sort\":0,\"description\":\"MinebeaMitsumi — надежный производитель сверхточных электромеханических компонентов. Их глобальная производственная база со штаб-квартирой в Токио, Япония, охватывает более 80 предприятий в 22 разных странах. Они стремятся разрабатывать передовые технологические решения для удовлетворения потребностей растущего взаимосвязанного общества. NMB Technologies (truncated) ... [elapsed: 0.027527 secs]
[API] response: [200 OK] "{\"code\":200,\"msg\":\"success\",\"data\":{\"id\":279,\"parent_id\":2089,\"name\":\"Одиночные IGBT\",\"path\":\"0;19;2045;2089;279;\",\"product_count\":4349,\"slug_name\":\"single-igbts\",\"description\":\"Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) представляют собой многослойные полупроводниковые устройства с тремя выводами, которые могут выдерживать большие токи и имеют функции быстрого переключения. Они характеризуются типом, напряжением пробоя коллектор-эмиттер, током (truncated) ... [elapsed: 0.028983 secs]
[API] response: [200 OK] "{\"code\":200,\"msg\":\"success\",\"data\":{\"id\":19,\"parent_id\":0,\"name\":\"Дискретные полупроводниковые изделия\",\"path\":\"0;19;\",\"product_count\":252065,\"slug_name\":\"discrete-semiconductor-products\",\"description\":\"К дискретным полупроводниковым изделиям относятся отдельные транзисторы, диоды и тиристоры, а также небольшие их массивы, состоящие из двух, трех, четырех или другого небольшого количества подобных устройств в одном корпусе. Они чаще всего используются для построения (truncated) ... [elapsed: 0.032698 secs]
[API] response: [200 OK] "{\"code\":200,\"msg\":\"success\",\"data\":{\"id\":2089,\"parent_id\":2045,\"name\":\"БТИЗ\",\"path\":\"0;19;2045;2089;\",\"product_count\":7257,\"slug_name\":\"igbts\",\"description\":\"IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) представляют собой многослойные полупроводниковые устройства с тремя выводами, которые могут выдерживать большие токи и имеют функции быстрого переключения. Они характеризуются типом, напряжением пробоя коллектор-эмиттер, током коллектора, импульсным током (truncated) ... [elapsed: 0.029184 secs]
[API] response: [200 OK] "{\"code\":200,\"msg\":\"success\",\"data\":{\"id\":279,\"parent_id\":2089,\"name\":\"Одиночные IGBT\",\"path\":\"0;19;2045;2089;279;\",\"product_count\":4349,\"slug_name\":\"single-igbts\",\"description\":\"Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) представляют собой многослойные полупроводниковые устройства с тремя выводами, которые могут выдерживать большие токи и имеют функции быстрого переключения. Они характеризуются типом, напряжением пробоя коллектор-эмиттер, током (truncated) ... [elapsed: 0.027423 secs]